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MX8341J	文件：300 bytes Page：1 Pages	DCDC Buck 降压	MOSHING 沐矽昕	MOSHING
NX8341	文件：351.19 Kbytes Page：13 Pages	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION 文件：351.19 Kbytes 页数：13 Pages	CEL	CEL
NX8341	文件：372.08 Kbytes Page：15 Pages	1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION 文件：372.08 Kbytes 页数：15 Pages	CEL	CEL
NX8341	文件：287.46 Kbytes Page：14 Pages	LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION FEATURES • Internal optical isolator • Optical output power Pf = −2 dBm • Low threshold current lth = 8 mA TYP. @ TC = 25°C • Wide operating temperature range TC = −5 to +85°C • InGaAs monitor PIN-PD 文件：287.46 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

最大输出电流IOUT_MAX（A）：
4.0
输出电压VOUT（V）：
ADJ
反馈电压VFB（V）：
0.8V
频率Freq（HZ）：
ADJ(180K/330K)
PFM/PWM：
ADJ(CCM OR DCM)
模式ECOT/CM：
COT MODE
同步/异步SYN/ASY：
SYN
封装形式Package：
ESOP8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MX8341J供应商更新时间2025-12-25 16:01:00

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