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MWS002

GaAs pHEMT SPDT 开关 DC-40 GHz

\nMWS002是一款采用GaAs MMIC工艺设计制造,超宽带单刀双掷的高性能开关。本款开关采用分布式结构设计,通过正负电平输入控制(0/-3V或者0/-5V)。当开关工作在40GHz时,其回波损耗到达10dB,拥有20dB以上的隔离度,并且插入损耗只有3dB。出色的宽频特性以及切换速度使本款开关产品适用于测量仪器,开关矩阵以及电子对抗等多个应用领域。\n \n关键特性                                     \nŸ   宽频工作:DC GHz - 40 GHz\nŸ   插入损耗:3 dB @ 40 GHz ;\nŸ   高隔离度:> 25 dB @ 40G • Ÿ 宽频工作:DC GHz - 40 GHz\n• Ÿ 插入损耗:3 dB @ 40 GHz ;\n• Ÿ 高隔离度:> 25 dB @ 40GHz\n• Ÿ 芯片尺寸:1.3 x 0.75 x 0.1mm\n• Ÿ 输入输出50 Ohm匹配: VSWR 1.5\n• \n•;

Milliway

米乐为微电子

N002

Polyurethane Adhesive-Back Bumpers

文件:147.88 Kbytes 页数:1 Pages

HEYCO

NB-PTCO-002

Platinum Thin Film (PTF) Temperature Elements

文件:350.32 Kbytes 页数:8 Pages

TEC

泰科电子

NCKIT002

DESIGN ENGINEERING KITS

文件:1.01576 Mbytes 页数:39 Pages

MURATA

村田

技术参数

  • RF Bandwidth(GHz):

    DC-40

  • IL(dB):

    2

  • Isolation(dB):

    25

  • Status:

    RFP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
米乐为
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更多MWS002供应商 更新时间2026-2-1 11:10:00