LED显示驱动芯片-行驱动

MW4953D内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS(ON)，适合用LED显示屏，LED显示器驱动，也可用来做负载开关或者PWM开关。 •内置双通道P-Mos输出\n•内阻小：Ron = 100mΩ@ IOUT=2A\n•最大输出电流：IOUT_MAX = 3.3 A\n•ESD HBM： >4KV\n•封装形式：SOP8，SOT23-6;

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明微电子

双通道 P 沟道场效应管

MW4953D 内部包括两个独立的、P 沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻 RDS(ON)，适合用 LED 显示屏，LED 显示器驱动，也可用来做负载开关或者 PWM 开关。\r

SunMoon

明微电子

显示控制系列

适用于LED屏的逻辑控制和驱动芯片，抗干扰能力强，性能可靠、稳定。

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明微电子

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：314.09 Kbytes 页数：7 Pages

NCEPOWER

新洁能

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.05895 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：369.9 Kbytes 页数：7 Pages

NCEPOWER

新洁能