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MURHS160T3	文件：174.16 Kbytes Page：6 Pages	600 V, 1.0 A Ultrafast Rectifier Features and Benefits • Ultrafast 35 Nanosecond Recovery Times • 175°C Operating Junction Temperature • High Temperature Glass Passivated Junction • High Voltage Capability to 600 V • NRVUHS and SURHS8 Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change R 文件：174.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3	文件：125.02 Kbytes Page：5 Pages	ULTRAFAST RECTIFIER 1.0 AMPERES 600 VOLTS 文件：125.02 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V，1.0 A 超快整流器 This Ultrafast Rectifier is designed for use in switching power supplies, inverters, and as free wheeling diodes. • Ultrafast 35 ns Recovery Times\n• 175C Operating Junction Temperature\n• High Temperature Glass Passivated Junction\n• High Voltage Capability to 600 VMechanical Characteristics:\n• Case: Epoxy, Molded\n• Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in\n• Weight: 95 mg (Approximately)\n• Finish: All External Surf;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3_V01	文件：174.16 Kbytes Page：6 Pages	600 V, 1.0 A Ultrafast Rectifier Features and Benefits • Ultrafast 35 Nanosecond Recovery Times • 175°C Operating Junction Temperature • High Temperature Glass Passivated Junction • High Voltage Capability to 600 V • NRVUHS and SURHS8 Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change R 文件：174.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：174.16 Kbytes Page：6 Pages	600 V, 1.0 A Ultrafast Rectifier Features and Benefits • Ultrafast 35 Nanosecond Recovery Times • 175°C Operating Junction Temperature • High Temperature Glass Passivated Junction • High Voltage Capability to 600 V • NRVUHS and SURHS8 Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change R 文件：174.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：133.61 Kbytes Page：5 Pages	Power Rectifier 文件：133.61 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：62.61 Kbytes Page：5 Pages	Power Rectifier 文件：62.61 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：125.02 Kbytes Page：5 Pages	ULTRAFAST RECTIFIER 1.0 AMPERES 600 VOLTS 文件：125.02 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3G_12	文件：133.61 Kbytes Page：5 Pages	Power Rectifier 文件：133.61 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 1A SMB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Type：
Ultrafast
IO(rec) Max (A)：
1
trr Max (ns)：
35
VRRM Max (V)：
600
VFM Max (V)：
2.4
IFSM Max (A)：
15
IR Max (mA)：
0.02
Package Type：
SMB-2

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更多MURHS160T3供应商更新时间2025-12-11 14:30:00

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