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NTSV20100CT	文件：88.1 Kbytes Page：5 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTSV20100CT	文件：106.2 Kbytes Page：5 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier ExceptionallyLowVF=0.50VatIF=5A Features •FineLithographyTrench−basedSchottkyTechnologyforVeryLowForwardVoltageandLowLeakage •FastSwitchingwithExceptionalTemperatureStability •LowPowerLossandLowerOpera	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTSV20100CTG	文件：88.1 Kbytes Page：5 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PBD20100	文件：553.47 Kbytes Page：4 Pages	MODELLDD-LARGEDIGITDISPLAY	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PBYR20100	文件：46.57 Kbytes Page：6 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodesinaconventionalleadedplasticpackageandasurfacemounting plasticpackage.Intendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. ThePBYR20100CTseriesissuppliedintheSOT78	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBYR20100CT	文件：46.57 Kbytes Page：6 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodesinaconventionalleadedplasticpackageandasurfacemounting plasticpackage.Intendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. ThePBYR20100CTseriesissuppliedintheSOT78	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBYR20100CTB	文件：46.57 Kbytes Page：6 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodesinaconventionalleadedplasticpackageandasurfacemounting plasticpackage.Intendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. ThePBYR20100CTseriesissuppliedintheSOT78	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH20100S	文件：83.13 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■Lowthermalresistance ■SO8equivalentareafootprint ■Lowgatedrivecurrent ■Lowon-stateresistance. Applications ■DC-to-DCconverters	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH20100S	文件：682.89 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits H	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHBRX20100CT	文件：312.63 Kbytes Page：4 Pages	TrenchSchottkyBarrierRectifier	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark

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