PH20100S中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PH20100S规格书详情
General description
Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.
特性 Features
■ Low thermal resistance
■ SO8 equivalent area footprint
■ Low gate drive current
■ Low on-state resistance.
Applications
■ DC-to-DC converters
■ Switched-mode power supplies
产品属性
- 型号：
PH20100S
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 100V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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SOT669 |
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