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MURH840CT	文件：400.15 Kbytes Page：2 Pages	8Ampsuperfastglasspassivatedrectifier50to600volts Features ·Superfastswitchingtimeforhightefficiency ·Lowreverseleakagecurrent ·Highsurgecapacity MaximumRatings ·OperatingTemperature:-55°Cto+150°C ·StorageTemperature:-55°Cto+150°C	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MURH840CT	文件：123.2 Kbytes Page：4 Pages	MEGAHERTZ??PowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURH840CT	文件：409.85 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER8.0AMPERES,400VOLTStrr=28ns FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •8ATotal(4APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement •Instrumentation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MURH840CT	文件：299.43 Kbytes Page：2 Pages	8AULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER 8AULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MURH840CT	文件：276.07 Kbytes Page：3 Pages	PowerRectifier FEATURES ·LowForwardVoltage ·HighSurgeCapacity ·HighEfficiency APPLICATIONS ·PowerManagement ·Instrumentation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MURH840CTG	文件：51.77 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER8.0AMPERES,400VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURH840CTG	文件：123.2 Kbytes Page：4 Pages	MEGAHERTZ??PowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURH840CTG	文件：409.85 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER8.0AMPERES,400VOLTStrr=28ns FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •8ATotal(4APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement •Instrumentation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MURH840CTG	文件：82.27 Kbytes Page：4 Pages	PowerRectifier FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •8ATotal(4APerDiodeLeg) •ThesearePb−FreeDevices* Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement •Instrumentation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURHB840	文件：55.34 Kbytes Page：4 Pages	8.0ASURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction IdeallySuitedforAutomaticAssembly Super-FastRecoveryTime HighVoltageCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability ForUseinHighVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andSwitching PowerSupplies	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM(V)max.：
400
IF(A)max.：
8
VF (V)max：
1.3
IFSM(A)max.：
100
IR(uA)max.：
10
trr(ns)max：
50
TJ(°C)max.：
175
TJ(°C)min.：
-65
ECCN(US)：
EAR99
Category：
快恢复二极管

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更多MUR840D供应商更新时间2025-7-28 16:23:00

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