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MUR3060PTG	文件：474.29 Kbytes Page：7 Pages	ULTRAFAST RECTIFIERS 30 AMPERES, 200??00 VOLTS Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •Ultrafast35and60NanosecondRecoveryTime •175°COperatingJunctionTemperature •HighVoltageCapabilityto600V •LowForwardDrop •LowLeakageSpec	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR3060PTG	文件：474.58 Kbytes Page：7 Pages	ULTRAFAST RECTIFIERS 30 AMPERES, 200??00 VOLTS Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •Ultrafast35and60NanosecondRecoveryTime •175°COperatingJunctionTemperature •HighVoltageCapabilityto600V •LowForwardDrop •LowLeakageSpec	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR3060PTG	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	Switch-mode Power Rectifiers Thesestateïofïtheïartdevicesaredesignedforuseinswitching powersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features xUltrafast35and60NanosecondRecoveryTime x175qCOperatingJunctionTemperature xHighVoltageCapabilityto600V xLowForwardDrop xLowLeakag	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR3060PTR	文件：721.51 Kbytes Page：2 Pages	30.0 Ampere Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ◇Dualrectifierconstruction,positivecenter-tap ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V0 ◇Glasspassivatedchipjunctions ◇Superfastrecoverytime,highvoltage ◇Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ◇Lowthermalresistance ◇	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PTR	文件：429.1 Kbytes Page：3 Pages	Fast Recovery Epi Diodes Features Highfrequencyoperation Highsurgeforwardcurrentcapability Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Solderdip275℃max.7s,perJESD22-B106	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MUR3060PA	文件：1.04423 Mbytes Page：3 Pages	30.0 Ampere Heatsink Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Half Bridge Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PD	文件：1.11431 Mbytes Page：3 Pages	30.0 Ampere Heatsink Dual Doubler Polarity Ultra Fast Recovery Half Bridge Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PS	文件：1.04316 Mbytes Page：3 Pages	30.0 Ampere Heatsink Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Half Bridge Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PT	文件：269.45 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafast Rectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MUR3060PT	文件：724.82 Kbytes Page：2 Pages	30.0 Ampere Dual Doubler Tandem Ultra Fast Recovery Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

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产品属性

产品编号：
MUR3060P
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
30A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
195pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-2
供应商器件封装：
TO-247AC
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

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