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OX-305	文件：342.66 Kbytes Page：4 Pages	UltraLowPhaseNoiseOvenControlledCrystalOscillator	Vectron Vectron International, Inc	Vectron
OX-305	文件：388.72 Kbytes Page：4 Pages	UltraLowPhaseNoiseOvenControlledCrystalOscillator	Vectron Vectron International, Inc	Vectron
PB305	文件：75.18 Kbytes Page：2 Pages	3AmpSinglePhaseBridgeRectifier50to1000Volts Features •MountingHoleFor#6Screw •ULRecognizedFile#E165989 •AnyMountingPosition •SurgeRatingOf50Amps •LowForwardVoltageDrop •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFr	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PB305	文件：267.41 Kbytes Page：3 Pages	3AmpSinglePhaseBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PBPC305	文件：51.17 Kbytes Page：2 Pages	3.0ABRIDGERECTIFIER Features •HighCurrentCapability •SurgeOverloadRatingto50APeak •HighCaseDielectricStrengthof1500V •IdealforPrintedCircuitBoardApplication •ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumberE94661	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PBSS305ND	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS305ND	文件：278.64 Kbytes Page：16 Pages	100V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS305NX	文件：332.52 Kbytes Page：16 Pages	80V,4.6ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS305NZ	文件：308.01 Kbytes Page：15 Pages	80V,5.1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS305NZ-Q	文件：294.92 Kbytes Page：14 Pages	80V,5.1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS305PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
MUR305SH
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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