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MUR190A

1.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers

FEATURES - Designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes - High efficiency, low VF - High reliability - Ultrafast recovery time for high efficiency - 175°C operating junction temperature - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE

文件:3.55806 Mbytes 页数:2 Pages

TSC

台湾半导体

MUR190A

1.0 AMP. Glass Passivated High Efficient Rectifiers

文件:563.34 Kbytes 页数:2 Pages

TSC

台湾半导体

MUR190A

1A, 600V - 900V Glass Passivated High Efficient Rectifiers

文件:387.65 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

MUR190A

75ns, 1A, 900V, High Efficient Recovery Rectifier

TSC

台湾半导体

MUR190A

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 1A 900V DO-15

TSC

台湾半导体

MUR190A B0G

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AL

TSC

台湾半导体

MUR190A R0G

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AL

TSC

台湾半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MUR190A

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-204AL(DO-41)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1A 900V DO-15

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MUR190A供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00