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MUR10020CTR	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	Super Fast Recovery Diode, 100A Features • Dual Diode Construction • Low Leakage Current • Low forward voltage drop • High surge current capability • Super Fast Switching 文件：138.8 Kbytes 页数：2 Pages	NAINA	NAINA
MUR10020CTR	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode Features • High Surge Capability • Types from 50 V to 200 V VRRM • Not ESD Sensitive 文件：391.03 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MUR10020CTR	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS Features • High Surge Capability • Types up to 600 V VRRM 文件：403.28 Kbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10020CTR	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode 文件：693.08 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MUR10020CTR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Super Fast Recovery（FRED）	DACO 罡境电子	DACO
MUR10020CTR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Super Fast Recovery Rectifiers	Navitas 纳微半导体	Navitas
MUR10020CTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：双塔架；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE MODULE 200V 50A 2TOWER	GENESIC	GENESIC

产品属性

产品编号：
MUR10020CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
50A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 200V 50A 2TOWER

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