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MUN5311DW1T1G	文件：373.98 Kbytes Page：35 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：373.98 Kbytes 页数：35 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5311DW1T1G	文件：270.41 Kbytes Page：34 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：270.41 Kbytes 页数：34 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5311DW1T1G_09	文件：830.77 Kbytes Page：34 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：830.77 Kbytes 页数：34 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
电阻器 - 基底（R1）：
10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）：
10 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
35 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
功率 - 最大值：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363

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更多MUN5311DW1T1供应商更新时间2026-2-2 14:11:00

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