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MUN5233DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

ONSEMI

安森美半导体

MUN5233DW1T1G

三极管

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 电阻器 - 基底(R1):

    4.7 千欧

  • 电阻器 - 发射极基底(R2):

    47 千欧

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MUN5233DW1供应商 更新时间2025-10-11 17:00:00