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MUN5232T1G	文件：140.22 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k 文件：140.22 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5232DW1T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistors	Willas 威伦电子	Willas
MUN5232T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5232T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5232T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MUN5232
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>35
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
15
R1 (kΩ)：
4.7
R2 (kΩ)：
4.7
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.5
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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