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MUN5212DW1T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistors;	WillasWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	Willas
MUN5212DW1T1	文件：151.62 Kbytes Page：20 Pages	Dual Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212DW1T1	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Dual Bias ResistorTransistors	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MUN5212DW1T1	文件：139.52 Kbytes Page：21 Pages	Dual Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212DW1T1G	文件：139.52 Kbytes Page：21 Pages	Dual Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212DW1T1G	文件：216.54 Kbytes Page：20 Pages	Dual Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212DW1T1G	文件：155.89 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212T1	文件：230.84 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212T1	文件：89.91 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212T1G	文件：230.84 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
60
R1 (kΩ)：
22
R2 (kΩ)：
22
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.8
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

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更多MUN5212供应商更新时间2025-7-29 16:00:00

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