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MUN5130DW1	文件：300 bytes Page：1 Pages	双路 PNP 双极数字晶体管 (BRT) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Board Space\n• Reduces Component Count\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5130DW1T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistors	Willas 威伦电子	Willas
MUN5130T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MUN5130
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>35
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
3
R1 (kΩ)：
1
R2 (kΩ)：
1
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.5
Vi(on) Min (V)：
2
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MUN5130供应商更新时间2026-1-17 15:30:00

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