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MUN5113T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5113T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MUN5113
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>60
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
80
R1 (kΩ)：
47
R2 (kΩ)：
47
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.8
Vi(on) Min (V)：
3
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

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