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MUN2212T1	文件：160.53 Kbytes Page：11 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network cons 文件：160.53 Kbytes 页数：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN2212T1	文件：263.56 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The 文件：263.56 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MUN2212_16	文件：140.1 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.1 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2212T1	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：150.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2212T1	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2212T1G	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：150.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2212T1G	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2212T1G	文件：140.56 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：140.56 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2212T1G	文件：140.1 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.1 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2212T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The BR	恩XP 恩智浦	恩XP

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
60
R1 (kΩ)：
22
R2 (kΩ)：
22
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.8
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SC-59-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MUN2212	ON	24+		5000	有部份现货	询价
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更多MUN2212供应商更新时间2025-10-6 16:00:00

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