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MTP8N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:295.06 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MTP8N50E

TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 500 VOLTS

文件:122.79 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MTP8N50E

TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.8 OHM

文件:158.6 Kbytes 页数:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MTP8N50E

TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.8 OHM

恩XP

恩XP

MTP8N50E

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

NJS

新泽西半导体

技术参数

  • Minimum Operating Temperature:

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation:

    125000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    500V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    8A

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Channel Type:

    N

  • Channel Mode:

    Enhancement

  • Category:

    Power MOSFET

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更多MTP8N50E供应商 更新时间2026-4-18 9:38:00