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MTM20P10	文件：285.57 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTM20P10	文件：87.63 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：87.63 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MTM20P10	文件：155.47 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：155.47 Kbytes 页数：5 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTM20P10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET P-CH 60V 20A	NJS 新泽西半导体	NJS

技术参数

Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
60V
Maximum Continuous Drain Current：
20A
Configuration：
Single
Channel Type：
P
Channel Mode：
Enhancement

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MTM20P10供应商更新时间2026-4-18 15:41:00

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