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MTH6N60	文件：293.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH6N60	文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages	Power Field Effect Transistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：282.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP6N60	文件：153.57 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MTP6N60	文件：119.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES •DrainCurrent-ID=6A@TC=25°C •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirement	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP6N60	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
MTH6N60
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
Power Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昌和盛利电子有限公司	MTH6N60	ON	23+	TO-218	6893		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MTH6N60	MOTOROLA/摩托罗拉	22+	TO-3P	6000	十年配单,只做原装	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	MTH6N60	ON/安森美	23+	TO-3P	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市旺财半导体有限公司	MTH6N60	MOT	23+		2800	正品原装货价格低	询价
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