Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package

文件：207.4 Kbytes 页数：4 Pages

IXYS

艾赛斯

Trench Gate MOSFET Modules

·Vdss: 40V to 150V, Id(25): up to 1500A \n·Very low Rds(on)\n·optimized fast intrinsic reverse diode\n·Tvj max: 175°C\n·Kelvin source terminals for easy drive\n·min. 1000 V rms Isolation with ceramic base plate (depending on package);

Littelfuse

力特

QFP

ALCATEL

阿尔卡特

上传：深圳市昂芯微科技有限公司

原厂原封装

Multi-Tech Systems

上传：深圳市恒达亿科技有限公司

UDFN8

MICROCHIP

微芯科技

上传：深圳市科芯源微电子有限公司