Trench Gate MOSFET Modules

·Vdss: 40V to 150V, Id(25): up to 1500A \n·Very low Rds(on)\n·optimized fast intrinsic reverse diode\n·Tvj max: 175°C\n·Kelvin source terminals for easy drive\n·min. 1000 V rms Isolation with ceramic base plate (depending on package);

Littelfuse

力特

包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS

IXYS

艾赛斯

Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package

文件：207.93 Kbytes 页数：4 Pages

IXYS

艾赛斯

QFP

ALCATEL

阿尔卡特

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BGA

Micron美光

上传：深圳市达豪电子有限公司