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MTB23P06	文件：249.1 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB23P06	文件：280.55 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB23P06E	文件：280.55 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB23P06E	文件：332.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MTB23P06V	文件：333.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB23P06V	文件：263.53 Kbytes Page：10 Pages	P?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB23P06V	文件：1.32134 Mbytes Page：9 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTB23P06VT4	文件：263.53 Kbytes Page：10 Pages	P?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MTB23P06
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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