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MTB1-16SL6101	文件：174.44 Kbytes Page：6 Pages	Microstrips .050 Contact Spacing 文件：174.44 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT
MTB1-16SL6102	文件：174.44 Kbytes Page：6 Pages	Microstrips .050 Contact Spacing 文件：174.44 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT
MTB1-16SL6103	文件：174.44 Kbytes Page：6 Pages	Microstrips .050 Contact Spacing 文件：174.44 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT
MTB1-16SL6104	文件：174.44 Kbytes Page：6 Pages	Microstrips .050 Contact Spacing 文件：174.44 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT
MTB11N03BQ8	文件：1.38725 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.38725 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
MTB11N03BQ8	文件：405.06 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：405.06 Kbytes 页数：9 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
MTB11N03BV8	文件：427.56 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：427.56 Kbytes 页数：9 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
MTB11N03Q8	文件：372.11 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：372.11 Kbytes 页数：8 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
MTB11N03Q8	文件：311.74 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：311.74 Kbytes 页数：9 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
MTB11N03Q8	文件：1.0874 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.0874 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

Package：
DFN3×3
Channel：
Single N
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
16
Vgs(±V)：
20
VGS(th) max(V)：
2.5
RDS(ON) @ 10V(mΩ)：
15(11)
RDS(ON) @4.5V(mΩ)：
24(16)
Ciss typ.(pF)：
1270
Crss typ.(pF)：
27
Qg typ (nC)：
20
Qgd typ.(nC)：
3.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	MTB50N06VT4	ON	23+	TO-263	3200		询价
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