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PHP1N60E	文件：21.11 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP1N60E	文件：372.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHT1N60R	文件：30.34 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformance.IntendedforuseinCompactFluorescentLights	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX1N60E	文件：24.98 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP1N60E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX1N60E	文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PJN1N60D	文件：203.14 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJU1N60	文件：239.1 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SIHFR1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR1N60A	文件：333.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
MTA1N60E
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
FULLY ISOLATED TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	MTA1N60E	ON	23+	TO-220F	6893		询价
深圳市一线半导体有限公司	MTA1N60E	MOT	24+	N/A	1125		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MTA200-08	PERSEMI	23+	DIP	15000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市星佑电子有限公司	MTA201M		05+	原厂原装	4851	只做全新原装真实现货供应	询价
上海金庆电子技术有限公司	MTA206N	TEConnectivity	新		521	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	MTA206N	TE Connectivity	2022+		517	全新原装货期两周	询价
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更多MTA1N60E供应商更新时间2025-7-25 14:01:00

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