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MT8551

磁开关 - 低压低功耗系列

MT8551采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使芯片能工作在-40~125℃的环境中,并保持优良的性能以及一致性。 • 全极开关\n• 工作电压 3.0V~24V\n• 环境工作温度 -40~125℃\n• 开漏输出\n• 25KHz采样频率\n• 16V反压保护 & 过流保护\n• 灵敏度高;

MagnTek

麦歌恩

ONET8551T

11.3-Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI

文件:483.06 Kbytes 页数:16 Pages

TI

德州仪器

ONET8551T

11.3-Gbps Limiting Transimpedance Amplifier

文件:485.5 Kbytes 页数:16 Pages

TI

德州仪器

ONET8551T

11.3-Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI

1FEATURES • 9-GHz Bandwidth • 10-kΩ Differential Small Signal Transimpedance • –20-dBm Sensitivity • 0.9-μARMS Input Referred Noise • 2.5-mAp-p Input Overload Current • Received Signal Strength Indication (RSSI) • 92-mW Typical Power Dissipation • CML Data Outputs With On-Chip 50-Ω Back-

文件:543.7 Kbytes 页数:16 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • 采样频率 (Hz):

    25K

  • 工作电压(V):

    3.0~24

  • 功耗(mA):

    1.0

  • 工作温度 (℃):

    -40~125

  • 工作点 (Gs):

    ±32

  • 释放点 (Gs):

    ±27

  • 输出形式:

    开漏输出

  • 封装:

    SOT-23

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MAGNTEK麦歌恩
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更多MT8551供应商 更新时间2026-1-17 11:09:00