丝印：P4；Package：TESQ；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝

Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

Application Scope：UHF/SHF band low noise amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n Collector Current IC 0.035 A \nCollector power dissipation PC 100 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 4 V \n;

Toshiba

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

东芝

AEROSEMI航天民芯
SOT23-6/DFN2X2-8

AEROSEMI航天民芯

上传：深圳广友电子有限公司

M3TEK来颉
sop-8

M3TEK来颉

上传：深圳市科恒伟业电子有限公司