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MT49H32M9BM-33

RLDRAM Memory

Micron

美光

MT49H32M9BM-5

RLDRAM Memory

Micron

美光

MT49H32M9BM-25:B TR

Package:144-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT49H32M9BM-33:B

Package:144-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT49H32M9BM-33:B TR

Package:144-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

技术参数

  • Density:

    288Mb

  • FBGA Code:

    D9GQL

  • Op. Temp.:

    0C to +95C

  • Part Status:

    Obsolete

  • PLP:

    No

  • PLP Start Date:

    N/A

  • Technology:

    RLDRAM 2

  • Width:

    x9

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICRON/美光
2011+
FBGA
1255
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MICRON/美光
23+
BGA
14000
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BGA
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144μBGA (18.5x11)
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更多MT49H32M9BM供应商 更新时间2026-2-9 8:31:00