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MT49H16M18C

288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)

文件:1.11764 Mbytes 页数:44 Pages

Micron

美光

MT49H16M18CFM-XX

288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)

文件:1.11764 Mbytes 页数:44 Pages

Micron

美光

MT49H16M18C

288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)

Micron

美光

MT49H16M18CBM-33

RLDRAM Memory

Micron

美光

MT49H16M18CBM-33 IT

RLDRAM Memory

Micron

美光

MT49H16M18CBM-25 IT:B TR

Package:144-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT49H16M18CBM-25:B

Package:144-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT49H16M18CBM-25:B TR

Package:144-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

技术参数

  • Density:

    288Mb

  • FBGA Code:

    D9GFM

  • Op. Temp.:

    0C to +95C

  • Part Status:

    End of Life

  • PLP:

    No

  • PLP Start Date:

    N/A

  • Technology:

    RLDRAM 2

  • Width:

    x18

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更多MT49H16M18C供应商 更新时间2025-12-10 15:13:00