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MT48LC64M8A2TG	文件：1.82868 Mbytes Page：55 Pages	SYNCHRONOUS DRAM GeneralDescription The512MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining536,870,912bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s134,217,728	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48LC64M8A2TG-75 IT	文件：100 bytes Page：1 Pages	SDRAM;	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
MT48LC64M8A2TG-75 L:C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
MT48LC64M8A2	文件：2.50339 Mbytes Page：68 Pages	512Mbx4,x8,x16SDRAM	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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技术参数

Part Status：
Contact Factory
RoHS：
5/6
Depth：
64Mb
Width：
x8
Voltage：
3.3V
Package：
TSOP
Pin Count：
54-pin
Clock Rate：
133 MHz
Cycle Time：
7.5ns
Op. Temp.：
-40C to +85C
CL：
CL = 3
Data Rate：
PC133

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