MT48LC32M16A2TG

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The512MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining536,870,912bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s134,217,728

MT48LC32M16A2TG-75 L:C

Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

MT48LC32M16A2TG-75:C

Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

MT48LC32M16A2TG-75:C TR

Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

MT48LC32M16A2

SYNCHRONOUSDRAM

GeneralDescription The512MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining536,870,912bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s134,217,728

MT48LC32M16A2

512Mbx4,x8,x16SDRAM