首页 >MT47R512M4EB-25E:C>规格书列表
型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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MT47R512M4EB-25E:C | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA | Micron 美光 | Micron | |
MT47R512M4EB-25E:C | Package:60-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA | ELPIDA 尔必达 | ELPIDA | |
Micron/镁光 | Micron/镁光 上传:深圳市兴灿科技有限公司 | Micron/镁光 | ||
MICRON | Micron | |||
MIC | MIC |
产品属性
- 产品编号:
MT47R512M4EB-25E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR2
- 存储容量:
2Gb(512M x 4)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.55V ~ 1.9V
- 工作温度:
0°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-FBGA(9x11.5)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON/美光 |
25+ |
N/A |
12496 |
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更新时间2025-10-4 14:14:00
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