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MT47H32M16NF-25E IT	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR2 RAM	Micron 美光	Micron
MT47H32M16NF-25E IT:H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
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MT47H32M16NF-25E	文件：2.1618 Mbytes Page：135 Pages	DDR2 SDRAM Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Duplicate output strobe (RDQS) option for x8 • DLL to align DQ and DQS transitions with CK • 4 internal banks for conc 文件：2.1618 Mbytes 页数：135 Pages	Micron 美光	Micron

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MT47H32M16NF-25E IT供应商更新时间2025-11-17 15:35:00