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MT47H32M16HR-25E

DDR2 SDRAM

文件:9.2793 Mbytes 页数:132 Pages

Micron

美光

MT47H32M16HR-25E AAT:G

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Micron

美光

MT47H32M16HR-25E IT:G

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Micron

美光

MT47H32M16HR-25E L:G

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Micron

美光

MT47H32M16HR-25E AAT:G TR

Package:84-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H32M16HR-25E AIT:G

Package:84-TFBGA;包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H32M16HR-25E AIT:G TR

Package:84-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

技术参数

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    512Mb (32M x 16)

  • 时钟频率:

    400MHz

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 访问时间:

    400ps

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    84-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    84-FBGA(8x12.5)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MT47H32M16HR-2供应商 更新时间2025-11-18 23:00:00