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MT47H256M4CF-25L	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H256M4CF-37EAT	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H256M4CF-37EIT	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H256M4CF-37EL	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H256M4CF-3AT	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
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MT47H256M4CF-3EL	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H256M4CF-3IT	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron
MT47H256M4CF-3L	文件：9.27235 Mbytes Page：131 Pages	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup 文件：9.27235 Mbytes 页数：131 Pages	Micron 美光	Micron

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技术参数

存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR2
存储容量：
1Gb （256M x 4）
时钟频率：
200MHz
写周期时间 - 字，页：
15ns
访问时间：
600ps
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 85°C（TC）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
92-VFBGA
供应商器件封装：
92-FBGA（11x19）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	MT47H256M4HQ-3:E	MT		BGA	428	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
深圳市恒创达实业有限公司	MT47H256M4CF-3:H	Micron	17+		6200		询价
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深圳市昊创电子有限公司	MT47H256M4JN-187ELAT:H	MICRON	1902+	BGA	2734	代理品牌	询价

更多MT47H256M4供应商更新时间2025-12-9 11:53:00

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