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MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Micron

美光

MT47H128M8HQ-3 IT:G

Package:60-FBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

ELPIDA

尔必达

MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

Package:60-FBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

ELPIDA

尔必达

MT47H128M8HQ-3AT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

文件:9.27235 Mbytes 页数:131 Pages

Micron

美光

MT47H128M8HQ-3EAT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

文件:9.27235 Mbytes 页数:131 Pages

Micron

美光

MT47H128M8HQ-3EIT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

文件:9.27235 Mbytes 页数:131 Pages

Micron

美光

产品属性

  • 产品编号:

    MT47H128M8HQ-3 IT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-FBGA

  • 供应商器件封装:

    60-FBGA(8x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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