512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM

Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Duplicate output strobe (RDQS) option for x8 • DLL to align DQ and DQS transitions with CK • 4 internal banks for conc

文件：2.16176 Mbytes 页数：135 Pages

MICRON

美光

DDR2 SDRAM

Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Duplicate output strobe (RDQS) option for x8 • DLL to align DQ and DQS transitions with CK • 4 internal banks for conc

文件：2.1618 Mbytes 页数：135 Pages

MICRON

美光

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Micron

美光

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Micron

美光

IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Micron

美光

Package：60-FBGA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

Package：60-FBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

Package：92-TFBGA；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 92FBGA

Micron Technology Inc.