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MT46V8M16TG-6T IT:D TR

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT46V8M16TG-6T L:D TR

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT46V8M16TG-6T:D TR

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MT46V8M16TG-6T L

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR

  • 存储容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)

  • 供应商器件封装:

    66-TSOP

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP

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更多MT46V8M16TG-6T供应商 更新时间2024-5-22 9:30:00