8Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRAM

FeaturesVDD = VDDQ = 1.2V ±60mV VPP = 2.5V, -125mV, +250mV On-die, internal, adjustable VREFDQ generation 1.2V pseudo open-drain I/O Refresh time of 8192-cycle at TC temperature range: - 64ms at -40℃ to 85℃ - 32ms at >85℃ to 95℃ - 16ms at >95℃ to 105℃ 16 internal banks (x4, x8): 4 group

文件：11.72466 Mbytes 页数：391 Pages

Micron

美光

Programmable data strobe preambles

文件：11.2952 Mbytes 页数：373 Pages

Micron

美光

Programmable data strobe preambles

文件：11.2952 Mbytes 页数：373 Pages

Micron

美光

TwinDie 1.2V DDR4 SDRAM

文件：359.66 Kbytes 页数：13 Pages

Micron

美光

DDR4 8G X4 TFBGA

Micron

美光

DDR4 SDRAM

Micron

美光

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Micron

美光

Package：78-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

ELPIDA

尔必达

Package：78-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

ELPIDA

尔必达

Package：78-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

ELPIDA

尔必达