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MT250QL01GABB1EW70SITES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB1EW90AITES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB1EW90SATES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB1EW90SITES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB3E120AATES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB3E120AITES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB3E120SATES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB3E120SITES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB3E120SITES

Micron Serial NOR Flash Memory

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

MT250QL01GABB3E140AATES

3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB, Sector Erase

文件:1.03828 Mbytes 页数:97 Pages

MICRON

美光

技术参数

  • Product Type:

    Bridge Rectifier

  • Package Group:

    3 Phase

  • Package:

    MT

  • IF(AV)(A):

    25

  • VRRM(V):

    50

  • VF @ IF(V):

    1.26 @ 40A

  • IR @ VR(µA):

    10 @ 50V

  • IFSM(A):

    375

  • Compliance:

    RoHS Pb-freeHalogen-free*

  • Safety:

    UL

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MICRON
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普通
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更多MT25供应商 更新时间2026-1-17 19:00:00