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RKD703KKR	文件：94.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features •LowPowerconsumption(Lowreverseleakcurrent)andhighspeed(Lowcapacitance). •Wecansupportthelineupofenvironmentalfriendlyhalogenfreetypeonyourdemand. •ExtremelysmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKD703KL	文件：95.31 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforhighSpeedSwitching Features •LowPowerconsumption(Lowreverseleakcurrent)andhighspeed(Lowcapacitance). •Wecansupportthelineupofenvironmentalfriendlyhalogenfreetypeonyourdemand. •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKD703KLR	文件：95.31 Kbytes Page：6 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforhighSpeedSwitching Features •LowPowerconsumption(Lowreverseleakcurrent)andhighspeed(Lowcapacitance). •Wecansupportthelineupofenvironmentalfriendlyhalogenfreetypeonyourdemand. •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKD703KP	文件：197.17 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features •LowPowerconsumption(Lowreverseleakcurrent)andhighspeed(Lowcapacitance). •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. •UltrasmallPackage(0.6mm×0.3mmSizeleadlesstype)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SC-703L	文件：88.27 Kbytes Page：1 Pages	3LTAPEANDREELDATA	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
SD703	文件：37.81 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitances,re	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
SD703C	文件：600.51 Kbytes Page：6 Pages	FASTRECOVERYDIODESHockeyPukVersion Features ■HighpowerFASTrecoverydiodeseries ■2.0to3.0µsrecoverytime ■Highvoltageratingsupto2500V ■Highcurrentcapability ■Optimizedturnonandturnoffcharacteristics ■Lowforwardrecovery ■Fastandsoftreverserecovery ■Press-pukencapsulation ■Casestyleconfo	IRF International Rectifier	IRF
SDGR-703	文件：16.597119 Mbytes Page：59 Pages	RFIDSystemswithISO/IEC18000-3(15693)Compliance	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
SDV703WK	文件：40.37 Kbytes Page：3 Pages	VariableCapacitanceDiode Descriptions •ForFMtuner •Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttackingofbothdiodes •Uniform“squarelaw”characteristics •Idealhifituningdevicewhenusedinlow-distortion,back-to-backconfiguration Features •Lowseriesresistance :rs=0.3Ω(Typ.)	AUK AUK corp	AUK
SDV703WK	文件：43.3 Kbytes Page：3 Pages	VariableCapacitanceDiode	AUK AUK corp	AUK

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