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MST5350BXX	文件：826.43 Kbytes Page：10 Pages	35V, 1.6μA Ultra Low Quiescent Current, 200mA, Low Dropout Voltage Regulator Description TheMST53XXBseriesisahighvoltage， ultralow-power，lowdropoutvoltageregulator.The devicecandeliver100mAoutputcurrentwitha dropoutvoltageof300mVandallowsaninput voltageashighas35V.Thetypicalquiescentcurrent isonly1.6µA.Thedeviceisavailableinfi	MILESTONEWUXI MILESTONE SEMICONDUCTOR INC. 力芯微无锡力芯微电子股份有限公司	MILESTONE
PB5350	文件：156.52 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatPNPtransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350D	文件：65.41 Kbytes Page：8 Pages	PNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-74plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350D. FEATURES •Highcurrentcapabilities •LowVCEsat. APPLICATIONS •Heavydutybatterypoweredequipment(Automotive,TelecomandAudio/Video)suchasmotorandlampdrivers •VCEsatcriticalapplica	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350D	文件：999.14 Kbytes Page：9 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcurrentcapability •Highefficiencyduetolessheatgenera	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350D-Q	文件：219.55 Kbytes Page：9 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcurrentcapability •Highefficiencyduetolessheatgene	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350PAS	文件：283.44 Kbytes Page：14 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350PAS-Q	文件：284.65 Kbytes Page：14 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS-Q 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersatura	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350S	文件：74.76 Kbytes Page：8 Pages	Highpowerdissipation(830mW) DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat g	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350SS	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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