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MST5330BXX	文件：826.43 Kbytes Page：10 Pages	35V,1.6μAUltraLowQuiescentCurrent,200mA,LowDropoutVoltageRegulator Description TheMST53XXBseriesisahighvoltage， ultralow-power，lowdropoutvoltageregulator.The devicecandeliver100mAoutputcurrentwitha dropoutvoltageof300mVandallowsaninput voltageashighas35V.Thetypicalquiescentcurrent isonly1.6µA.Thedeviceisavailableinfi	MILESTONEWUXI MILESTONE SEMICONDUCTOR INC. 力芯微无锡力芯微电子股份有限公司	MILESTONE
MT5330	文件：155.24 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORCOUPLER GaAsinfraredEMITTINGDIODE&NPNSILICONPHOTOTRANSISTOR TheMT5350consistsofagalliumarsenideinfraredemittingdiodecoupledwithasiliconphototransistorinadualin-linepackage APPLICATIONS •ACLINE/DIGITALLOGICISOLATOR •DIGITALLOGIC/DIGITALLOGICISOLATOR •TELEPHONE	Marktech Marktech Corporate	Marktech
MUN5330DW	文件：1.4905 Mbytes Page：29 Pages	DualBiasResistorTransistorNPNPNPSilicon DualBiasResistorTransistor NPN+PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MUN5330DW	文件：1.49667 Mbytes Page：29 Pages	DualBiasResistorTransistors	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MUN5330DW	文件：2.64229 Mbytes Page：32 Pages	DUALBIASRESISTORTRANSISTORNPN&PNPWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK DESCRIPTION TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingle transistorwithamonolithicbiasnetworkconsisting oftworesistors;aseriesbaseresistoranda baseemitterresistor.Thesedigitaltransistorsare designedtoreplaceasingledeviceanditsexternal resistorbiasnetwor	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
NX5330SA	文件：184.13 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEFOROTDRAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX5330SA-AZ	文件：184.13 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEFOROTDRAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
PBSS5330PA	文件：166.57 Kbytes Page：15 Pages	30V,3APNPlowVCEsattransistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4330PA. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturatio	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5330PA	文件：709.22 Kbytes Page：16 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinan ultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewith mediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4330PA. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emitter	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330PAS	文件：735.73 Kbytes Page：18 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsoldarablesidepads. NPNcomplement:PBSS4330PAS Featu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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