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MSS30-442-B41	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium Barrier Silicon Schottky Diodes MACOM's MSS40,000 Series of Schottky diodes are fabricated on N-Type epitaxial substrates using proprietary processes that yield the highest FCOs in the industry. Optimum mixer performance is obtained with LO power of 0 dBm to +6 dBm per diode. ·VF , RD and CJmatching options\n·Hi-Rel screening per MIL-PRF-19500 and MIL-PRF-38534 available\n·Chip, beam lead or packaged devices;	MACOM	MACOM
MSS30-442-B41	文件：706.67 Kbytes Page：5 Pages	Low Barrier Silicon Schottky Diodes 文件：706.67 Kbytes 页数：5 Pages	MA-COM	MA-COM
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MST3583M-LF-110	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP	MSTAR 上传：深圳市胜彬电子有限公司	MSTAR

技术参数

Vf(V)：
0.4000
Vb：
3.00
Total Capacitance(pF)：
0.120
Dynamic Resistance(ohms)：
17.0
Package Category：
Beamlead
Package：
B42

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更多MSS30-442-B41供应商更新时间2026-2-9 10:05:00

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