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PNE20080EPE-QZ	文件：264.15 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPEZ	文件：263.96 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PTB20080	文件：445.22 Kbytes Page：3 Pages	25Watts,1.6-1.7GHzRFPowerTransistor Description ThPTB20080isaclassA/AB,NPN,siliconbipolarjunction,internallymatchedRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.6to1.7GHz.Itisratedat25WattsminimumoutputpowerforPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallization	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson

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200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier

Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan

安世安世半导体(中国)有限公司

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25Watts,1.6-1.7GHzRFPowerTransistor

Description ThPTB20080isaclassA/AB,NPN,siliconbipolarjunction,internallymatchedRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.6to1.7GHz.Itisratedat25WattsminimumoutputpowerforPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallization

EricssonEricsson Microelectronics

爱立信爱立信公司

Ericsson

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MSRT20080AD	GeneSiC Semiconductor	25+	三塔	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	MSRT250100(A)	GeneSiC Semiconductor	23+	Three Tower	9000	原装正品，支持实单	询价

更多MSRT20080A供应商更新时间2025-5-20 14:11:00

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