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技术参数

Status：
Active
Description：
N Channel Dual MOSFET
Channel Polarity：
N Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
ID Max (A)：
27
PD Max (W)：
5
rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
5.5
rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)：
4.6
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
15
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
5
Package Type：
SOIC-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MSQ27N30供应商更新时间2026-4-19 14:10:00

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