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PJ2306	文件：209.86 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET-ESDProtected	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJM2306NSA	文件：2.67578 Mbytes Page：6 Pages	N-EnhancementModeFieldEffectTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
PMB2306	文件：760.48 Kbytes Page：35 Pages	PLL-FrequencySynthesizerPMB2306R/PMB2306TVersion2.2 GeneralDescription Thecircuitconsistsofareference-,a-andn-counter,adualmoduluscontrollogic,aphasedetectorwithchargepumpoutputandaserialcontrollogic.ThesettingoftheoperatingmodeandtheselectionofthecounterratiosisdoneseriallyattheportsCLK,DAandEN. T	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PMB2306R	文件：760.48 Kbytes Page：35 Pages	PLL-FrequencySynthesizerPMB2306R/PMB2306TVersion2.2 GeneralDescription Thecircuitconsistsofareference-,a-andn-counter,adualmoduluscontrollogic,aphasedetectorwithchargepumpoutputandaserialcontrollogic.ThesettingoftheoperatingmodeandtheselectionofthecounterratiosisdoneseriallyattheportsCLK,DAandEN. T	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PMB2306T	文件：760.48 Kbytes Page：35 Pages	PLL-FrequencySynthesizerPMB2306R/PMB2306TVersion2.2 GeneralDescription Thecircuitconsistsofareference-,a-andn-counter,adualmoduluscontrollogic,aphasedetectorwithchargepumpoutputandaserialcontrollogic.ThesettingoftheoperatingmodeandtheselectionofthecounterratiosisdoneseriallyattheportsCLK,DAandEN. T	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
RF2306	文件：59.56 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2306isageneralpurpose,lowcostRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2306PCBA	文件：59.56 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2306isageneralpurpose,lowcostRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RN2306	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RSZ-2306	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOMRecom International Power 瑞科电源瑞科电源有限公司	RECOM
RSZ-2306HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOMRecom International Power 瑞科电源瑞科电源有限公司	RECOM
S2306	文件：951.9 Kbytes Page：13 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SE2306	文件：1.01367 Mbytes Page：6 Pages	LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SE2306	文件：375.07 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
SGM2306	文件：486.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SGM2306A	文件：399.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SGM2306A	文件：1.00561 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI2306	文件：395.11 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
SI2306	文件：283.27 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SI2306	文件：201.59 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SI2306	文件：473.71 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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