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MSM56V16161NP	文件：994.21 Kbytes Page：44 Pages	2-Bank횞524,288-Word횞16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：994.21 Kbytes 页数：44 Pages	LAPIS LAPIS Semiconductor Co., Ltd.	LAPIS
MSM56V16161NP-10	文件：991.4 Kbytes Page：44 Pages	16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：991.4 Kbytes 页数：44 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16161NP-6	文件：991.4 Kbytes Page：44 Pages	16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：991.4 Kbytes 页数：44 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16161NP-7	文件：991.4 Kbytes Page：44 Pages	16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：991.4 Kbytes 页数：44 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16161NP-75	文件：991.4 Kbytes Page：44 Pages	16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：991.4 Kbytes 页数：44 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16161NP	文件：300 bytes Page：1 Pages	DRAM The MSM56V16161N is a 2-Bank  524,288-word  16-bit Synchronous dynamic RAM fabricated in silicon-gate CMOS technology.\n The device operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL compatible.	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16161NP-10	文件：300 bytes Page：1 Pages	16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16161NP-xxTFEX	文件：300 bytes Page：1 Pages	DRAM	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Data Rate Type：
SDR
Supply Voltage(v)：
3.3±0.3
Number of data bit：
16
Configuration(bank×word×bit)：
2x512Kx16
Max Operating Frequency(MHz)：
143
Refresh Cycle(cycle/ms)：
4096/64
Cycke Time(ns)：
7/7.5/10
Features：
Drivability Control
Operating Temperature(°C)：
-40~+85
Package：
TSOP(Ⅱ)50

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更多MSM56V16161NP供应商更新时间2025-10-8 14:14:00

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