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MSD80N03	文件：322.59 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：322.59 Kbytes 页数：4 Pages	BWTECH	BWTECH
MSD80N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Bruckewell	Bruckewell
NP80N03CDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID 文件：219.37 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N03CDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2600 pF TYP. 文件：297.39 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N03CDE	文件：372.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Status：
Active
Description：
N Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
N Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
80
PD Max (W)：
83
rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
7.6
rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)：
5.3
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
30
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
53
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
17
Qrr Typ (nC)：
12
Ciss Typ (pF)：
4840
Coss Typ (pF)：
620
Crss Typ (pF)：
435
Package Type：
TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MSD80N03供应商更新时间2025-10-10 18:26:00

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